技术编号:7045284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种,在化学酸液对晶圆表面进行清洗之后,将晶圆表面改变成疏水性,再采用臭氧对晶圆表面进行处理,原子氧会在晶圆表面扩散,从而在晶圆表面形成非定型的SiOX,后续与去离子水接触会形成非桥键亲水性的羟基,进而将晶圆表面改变为亲水性,去离子水便能够与晶圆表面完全接触,能够完全冲去残留在晶圆表面的化学酸液,避免化学酸液与后续形成的薄膜发生反应形成缺陷。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种。背景技术[0002]在半导体制造过程中,需要...
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