技术编号:7045586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法,包括以下步骤(a)在做完刻蚀的硅片正面沉积氮化硅层,背面蒸镀三氧化二铝;(b)对硅片的背面进行激光开槽处理,然后依次印刷背极背场和正银,并完成烧结;(c)将金属化完成的电池片在无氧无氢状态下进行低温退火处理。这种可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法可以增加钝化层中固定负电荷密度,从而增强场效应钝化作用,并且退火过程中Si/Al2O3界面生成SiOx薄层,从而使Si/Al2O3界面缺陷密度降低,最...
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