技术编号:7045650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺,其特征是采用芯片正面朝上的工艺,在载片上制作金属层,按芯片的排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极,改变扇出型晶圆级封装内部结构,增强刚性和热胀系数,改善整个晶圆的翘曲以及滑移、错位。塑封后在芯片正面进行重布线层制作,把芯片的焊盘进行扇出,形成第一层芯片电路。然后制作第二层芯片,重复芯片正面朝上的工艺,在第一个封装单元上表面粘贴芯片和金属层,形成与上一封装单元的连接;然后进行塑封工艺、钻孔、填充金...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。