技术编号:7045668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是,包括1)用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面,再用去离子水进行冲洗,然后放入甩干机进行甩干;2)在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料,转速1000rpm-5000rpm,时间为30-60秒;3)将Si基GaN、半导体圆片正面朝上放在热板上烘烤,热板温度100-110摄氏度;4)Si基GaN、半导体圆片在室温下冷却后,将Si基GaN、半导体圆片正面相对在温度为180-250摄氏度的条件下键合。优点利用粘附剂键合的方...
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