技术编号:7045759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线,属于天线领域。本发明包括环形天线,Si基FET,低噪声放大器;其中环形天线用于接收THz波,同时把接收到的THz波转化为电信号给FET,FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器,信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。专利说明—种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹...
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