技术编号:7045784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,该方法包括提供一半导体衬底;于真空环境下在该半导体衬底上制备一粘附层后,制备一金属薄膜覆盖所述粘附层的表面,且所述金属薄膜中形成有应力;在进行后续的退火处理工艺之前,对所述金属薄膜进行破真空应力释放工艺;其中,所述金属薄膜的热稳定性和机械性均低于所述粘附层和\或所述阻挡层的热稳定性和机械性。通过本发明方法能够使金属薄膜能够在后续的高温退火工艺后,仍保持其表面的平整度,避免了小丘状突起缺陷的产生。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件生产领...
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