技术编号:7045836
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,属于电子。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应,双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接,从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的;本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法,在保留了传统的双极器件制备工艺的同时,制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件...
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