技术编号:7045850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的目的在于提供半导体装置,其抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加。该半导体装置(10)具有引线框架(RM);搭载于引线框架(RM)的主面侧(MF)的MIC(18);以紧贴的方式搭载于引线框架(RM)的背面侧(BF)的电感器(12);以及对引线框架(RM)、MIC(18)以及电感器(12)进行树脂密封的树脂体(14)。电感器(12)是强磁性体的八棱柱状芯,在与电感器(12)的轴(P)对应的位置配置MIC(18),在电感器(12)的端子(B、C)之间配置...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。