技术编号:7045914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沟槽型功率晶体管组件及其制作方法,特别涉及一种。背景技术在功率晶体管组件中,漏极与源极间导通电阻RDS(on)的大小与组件的功率消耗成正比,因此降低导通电阻RDS(on)的大小可减少功率晶体管组件所消耗的功率。于导通电阻RDS(on)中,用于耐压的外延层所造成的电阻值所占的比例为最高。虽然增加外延层中导电物质的掺杂浓度可降低外延层的电阻值,但外延层的作用为用于承受高电压。若增加掺杂浓度会降低外延层的崩溃电压,因而降低功率晶体管组件的耐压能力。...
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