技术编号:7045942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。该公开涉及化合物半导体器件、制造器件的方法和电气器件。背景技术以高饱和电子速率、宽带隙等为特征的氮化物半导体器件可用作高压和高输出半导体器件。氮化物半导体器件可包括场效应晶体管和高电子迁移率晶体管(HEMTs),例如,包括GaN电子传输层的AlGaN/GaNHEMT,并且也可包括AlGaN电子供给层。AlGaN/GaN HEMT的AlGaN可承受因GaN与AlGaN之间晶格常数差造成的畸变。高浓度的二维电子气(2DEG)可基于AlGaN的压电极化和自发极化...
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