技术编号:7046050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,所述表面微结构的特征是发光二极管的出光表面的粗化总表面积与垂直投影面积的比值大于1.5,出光表面上的峰密度大于或等于0.3/μm2。本发明中外延片的粗化总表面积与垂直投影面积比值越高越有利于提高外延片的光取出效率,单位面积内高于临界高度的峰数越多越有利于提高外延片的光取出效率,即外延片光取出效率大大提高。专利说明[0001]本发明属于半导体光电,尤其是涉及一种。背景技术[0002]LED是一种半导体PN结二极管,当有一个正向电压施加于PN结...
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