技术编号：7046238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm，悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm，在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力，支撑柱布置于线圈对角线位置。制作工艺为清洗处理基片；基片正面涂胶、背面溅射Cr，涂胶、曝光、显影、腐蚀，制作套刻对准标记；去胶、溅射、涂胶、曝光、显影、电铸Cu；溅射、涂胶、光刻、显影、电铸Cu；去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬空微电感具有优异的射频性能和...
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