技术编号：7046545
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及。背...
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