技术编号：7046599
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，先在晶体硅衬底上制作至适宜的正面结构，制作保护层将正面结构保护好，用化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至呈现柔性，去除保护层，再制作背面结构及完善正面结构；衬底为晶体硅；完整的正面结构为陷光化/发射区/钝化减反层/正面电极；保护层在化学刻蚀体系中具有优良的耐腐蚀性，稳定性，完整性；化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至一定厚度，表现出优良的柔性；背面结构为背面场/钝化层/背面电极。本发明实现了用晶体硅作为柔性电池的吸收基区，具有优良的光电性能，是获得高效柔...
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