技术编号:7046619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种逆构造OLED的制备方法,包括以下步骤提供一基板,在所述基板上制备ITO薄膜作为阴极;对所述ITO薄膜进行等离子体浸入离子注入,且同时对所述ITO薄膜施加一脉冲负偏压,从而将所述等离子体按一设定的注入深度注入到所述ITO薄膜内;在所述ITO薄膜上依次成膜形成包括电子注入层、电子运输层、发光层以及空穴运输层在内的有机层;在所述有机层上成膜形成阳极。由于本发明是将等离子体注入到ITO薄膜表面以及表面以下一定深度内的,因此器件具有更加高的稳定性。...
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