技术编号：7046819
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，包括多晶硅、APF层图形结构、氮化硅和氧化硅层图形结构等，在多晶硅和初始氮化硅图形结构的表面采取原子层沉积技术沉积一层8～12纳米厚的氧化硅，利用气体干法刻蚀和湿法刻蚀，实现多晶硅上节距23～28纳米内的8～12纳米线宽的小尺寸氧化硅图形结构；该制备方法能保证氧化硅图形结构的平整度，并能保证小尺寸深槽内的介质材料被完全祛除干净，同时保护沟槽底部及周围图形不受损伤，以提高沟槽深度的均匀性，减少了图形结构中存在栅栏、皱纹或者琢面的缺陷，提高了半导体器件的集成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。