技术编号:7046911
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。该N型太阳能电池的高低结的制备方法包括建立P型硅片的方块电阻与N型硅片的表面磷扩散浓度之间的关系模型;根据所欲制备的N型硅片表面磷扩散浓度,对照关系模型,找到相应P型硅片的方块电阻的预设值;按以下步骤对N型硅片进行磷扩散处理A1将N型硅片与P型硅片在相同条件下进行磷扩散处理;A2对经磷扩散处理后的P型硅片进行测试,获取P型硅片的方块电阻;A3对比经磷扩散处理后的P型硅片的方块电阻与预设值,若大于预设值,则重复步骤A1和A2至两者之间差值的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。