技术编号:7046978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti;(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室内通入氢气与氨气,使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN,并残余一部分未被氮化的金属Ti;(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气,利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。...
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