技术编号:7047006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的系统和方法涉及半导体存储器。更具体地,本发明的系统和方法涉及用 于半导体存储器的布局。背景技术静态随机存储器(“SRAM”)包括按行和列设置以形成阵列的多个单元。SRAM单 元包括多个连接到位线和字线的晶体管,位线和字线用于对存储器单元读写一些数据。双 端口 SRAM是使多个读写能够大约同时发生的特定类型SRAM。传统的双端口 SRAM结构包括 在单个导电层中的多条位线和电压供应线(VSS和VDD),这就需要大的占位面积以适当地 将这些线彼此分开从...
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