技术编号：7047322
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于信息存储材料，该磁性pn结由p型铁磁材料ZnCuOLi和n型半导体材料ZnO构成，其制备方法包括n型半导体材料ZnO的制备、表面电极的制备、p型铁磁材料ZnCuOLi的制备、金属底电极的制备等四个步骤；该方法充分利用近年发展迅速的磁控溅射技术和阳极层离子源辅助沉积技术并进行有机结合，能在低温下生长与CMOS技术兼容的具有正向整流效应的自旋p-n结，具有制备成本低，应用价值大的优点。专利说明 [0001]本发明涉及一种磁性pn结及其制备...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。