技术编号:7047383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。在一个实施例中,III族-氮化物材料用于形成半导体器件。鳍形结构用III族-氮化物材料形成,且以与鳍形结构分离的关系形成栅结构、源电极和漏电极。该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中,栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。专利说明[0001]相关申请交叉引用[0002]本申请要求2013年3月15日提交的申请号为N0.61/786,570的美国临时申请的优...
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