技术编号:7047475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,其包括向热的氧化炉炉管内通入氮气;旋转工艺片承载舟,并从原始位置升舟至第一位置;保持旋转工艺片承载舟,对工艺片进行主氧化工艺;主氧化工艺完成后,保持旋转工艺片承载舟,从工艺行程位置降舟至原始位置。本发明通过升舟、降舟和主氧化工艺的过程中保持低速旋转工艺片承载舟,来减小温度场、气流场分布不均匀对工艺片成膜均匀性的影响,从而优化半导体立式炉设备中工艺片的成膜均匀性,同时降低了生产成本。专利说明[0001]本发明涉及集成电路制造,特别涉及一种提...
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