技术编号:7047488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了和半导体器件的制备方法,包括首先,对晶圆的边缘区域进行等离子体处理,去除边缘区域的光刻胶和/或底部抗反射层的残留;然后,采用底部抗反射层相对于其下层薄膜的刻蚀选择比高的气体来刻蚀底部抗反射层,这样,确保了后续过程中晶圆的边缘区域和图案区域具有相同的薄膜厚度,从而在后续接触孔制备工艺中形成厚度均匀的氧化膜;本发明还对处理边缘区域的反应气体作了改进,从而避免了现有工艺容易造成图案区域关键尺寸缩小的弊端,因此,采用本发明的方法,能够避免接触孔制备工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。