技术编号：7047494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种在降低短沟道效应后所沉积的薄膜产生负载效应的消除方法，首先采用增加栅极侧墙的宽度方法进行离子注入，来降低短沟道效应；然后，减小栅极侧墙的宽度，再进行薄膜沉积工艺。减小栅极侧墙宽度的方法为利用抗反射层保护住栅极和栅极侧墙的顶部，并利用图案化的抗反射层来定义栅极侧墙要减少的宽度，再采用干法刻蚀工艺刻蚀减薄栅极侧墙。很明显，由于栅极侧墙的宽度减少了，栅极之间的填充空间就增加了，从而进一步提升栅极之间的薄膜填充能力，避免了采用现有的在降低短沟道效应的...
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