技术编号:7047576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器,包括采用依次叠放布置的衬底、参考地电极层、电介质薄膜层及传输线层,在所述衬底、参考地电极层、电介质薄膜层和传输线层中至少一层结构上设置光子晶体结构。本发明具有结构简单紧凑、制作简便、能够抑制器件高频幅射、降低器件高频损耗等优点。专利说明一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器[0001]本发明主要涉及到微波射频电路领域,特指一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器。背景技术[0002]电扫描天线阵列在通...
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