技术编号：7047656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于P型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法。P型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分，P型层部分依次为P型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与P型硅衬底接触的电极；N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与N型晶硅层连接的电极。本发明可以兼容传统晶硅生产线，可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产，相对于传统晶硅太阳电池，避免常规太阳电池正面电极遮光的问...
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