技术编号:7047789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法,包括将外延层邦定在高阻硅基板上,去除生长衬底和缓冲层,暴露出N型GaN层,刻蚀所述暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属层,该方法还包括在金属层上蒸镀P电极金属形成P电极,在N型GaN层上蒸镀N电极金属形成N电极。本发明通过将外延层邦定在高阻硅基板上,使得芯片的P电极与芯片的底部绝缘。采用本发明的方法制备的LED芯片既保留了垂直结构芯片的光电特点,又能解决一般垂直芯片在封装打线进行串联连接困难的问题。专利说明一种...
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