技术编号：7047890
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种。其中形成方法包括以下步骤提供顶部具有Si层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Si层；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGe层。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGe源漏的场效应晶体管，其中SiGe源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领...
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