技术编号:7047926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括步骤S1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层;在该掺杂层上形成一电介质层;对该带有电介质层的基底进行退火处理;使用清洗液去除该电介质层。通过在离子注入形成掺杂层之后,形成一电介质层来改进由此制得的PN结构的性能,电介质层有助于降低基底表面的掺杂浓度以及晶格缺陷的修复,显著减少注入后损伤层内的缺陷密度,并对基底进行一定程度的吸杂以降低有害杂质的影响。专利说明 [0001] 本发明涉及一种,特别是涉及一种采用离子注入的。 背...
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