技术编号：7047928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种原位金属硬掩模形状控制的脉冲电介质蚀刻工艺，具体而言，一体化沟槽在通孔上(TOV)蚀刻，其中含有氮化钛的材料的金属硬掩模下的低k材料的蚀刻是在交替以下步骤进行的(a)在保持卡盘的温度在约45℃至80℃时，蚀刻低k材料，以及(b)在保持卡盘的温度在约90至130℃时，金属硬掩模圆整和Ti基残留物去除。专利说明原位金属硬掩模形状控制的脉冲电介质蚀刻工艺 [0001] 本发明涉及一种在等离子体处理装置中处理半导体衬底的方法，并且更具体地涉 及...
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