技术编号:7048090
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了,包括形成第一层金属层;在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜,其中在生长低介电常数薄膜时引入两步以上的液源稳定过程;对低介电常数薄膜进行紫外线固化;在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及。背景技术[0002]在40纳米以下铜互连工艺中,为了降低线间延时,两层互连金属间的介质层要求有较低的介电常数,介电常数越低,延时越小,器件速度也就越快。40...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。