技术编号:7048147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往,如图1(平面图)以及图2 (图I的II - II线剖面图)所示那样的半导体装置的布线构造已广为人知。该布线构造包括在硅基板I上形成的绝缘层2、被该绝缘层2覆盖的第一金属层3、配置在绝缘层2上的作为焊盘电极的第二金属层4以及与第二金属层4连接的布线5。可是,在构成第二金属层4的金属的溅射时,当处于热膨胀状态的金属的温度下降时,附着于绝缘层2的金属的收缩カ会导致在金属内部产生向内的应力。之后,对金属的不需要的部分进行蚀刻,例如,当形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。