技术编号：7048198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，具体而言，本发明涉及多层清除金属栅极堆叠件。背景技术半导体集成电路(IC)行业经历了迅速的发展。IC材料和设计的技术发展产生出多代1C，每个新一代IC都具有比前一代更小但更复杂的电路。这些发展增加了 IC的处理及制造的复杂性，并且为了这些待实现的发展，IC的处理及制造也需要类似的发展。在IC 的发展过程中，通常增大了功能密度(即，每个芯片区域的互连器件数量)，而减小了几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小部件(或线))。这种按比例缩...
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