技术编号：7048213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种TFT深接触孔制造方法，采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层之上，在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方面由于无需多次剥离光刻胶，可明显提高产品的良率。本发明使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高...
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