技术编号：7048573
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法。包括以下步骤1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金属化处理后的硅芯片放置到封装载体的指定烧结区上；4）在上述硅芯片的表面施加超声能量，使硅不断地扩散到芯片背面和烧结区的金属层中，实现硅与背面和烧结区金属的紧密结合；5）将烧结好的产品从加热平台上取下，按阶梯降温原则降温至室温，完成烧结过程。所述方法具有操作简单，生产效率高，可靠...
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