一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器的制造方法技术资料下载

技术编号:7048589

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本发明提供的一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器,其横向结构即x-y截面所示的结构为脊波导结构,由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、上包层(7)、上包层脊条部分(8)、P型电极(9)组成;其纵向结构即沿z方向所示的结构是由普通的FP腔(10)和位于该腔内的一个带通滤波单元(11)组成,该带通滤波单元设有斜槽。本发明具有结构简单、制作工艺简单和制作成本低等优点,可...
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