技术编号:7049044
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,其工艺流程的步骤包括P型硅衬底两面激光开槽、制绒并对其清洗、在P型硅衬底的前表面进行磷扩散、去背结和边结以及磷硅玻璃、双面沉积钝化膜和制备电池的电极,该制备方法与传统技术相比更简化,设备投资小,与产线兼容性高,具有量产前景,解决了传统刻槽埋栅电池采用电镀技术制备电极带来的制程复杂不稳定、电极结合力差等一系列问题,提高了太阳光的利用率、电池的发电量,有效地降低了P型晶体硅两个表面的光学和电学损失。专利说明[0001]本发明涉及太阳能电池制造...
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