技术编号:7049218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及一种。背景技术晶体管,尤其是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),是集成电路中最常见的元件之一。随着集成度的不断提高,器件尺寸进入深亚微米沟长范围,器件内部的电场强度随器件尺寸的减小而增强,特别在漏结附近存在强电场,载流子在这一强电场中获得较高的能量,成为热载流子。热载流子在一方面因为改变阈值电压而影响到器件寿命,另一方面热载流子在沟道中碰撞次数的增加,限制了器件的最高工作电压。为了抑制热载流子效应,通常采用轻掺...
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