技术编号:7049269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺,具体来说,本发明涉及一种B⑶器件的高温推阱工艺。背景技术B⑶工艺是一种单片集成工艺技术,这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管管(Bipolar)、CM0S和DMOS器件。其综合了双极器件的高跨导、强负载驱动能力和CMOS 器件高集成度、低功耗的优点,以及集成了 DMOS功率器件。但目前这种工艺中推阱工序要求较高,工序时间长,工艺温度高。现有的高温推阱工艺程序包括升温阶段、推进阶段、降温阶段共三个阶段。其中, 推阱阶段的工艺温度一般...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。