技术编号：7049448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，包括以下步骤A.在基底1上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层2，其中所述低温是500℃；B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层2上生长GaN半导体层3，其中所述高温是1050℃；C.对所述GaN半导体层3进行至少一次温度循环处理，其中每一次温度循环中将温度从1050℃降到500℃,再升温到1055℃，然后降温到1050℃；D.在经过温度循环处理后的GaN半导体层3上，继续生长后续的其它各层。经过本发明的方法得到的半导体器件，晶体的位错...
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