技术编号:7049692
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括如下步骤步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理,对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理;同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫,之后进行硅化钨成膜。本发明能防止硅化钨鼓包的形成,防止器件失效。专利说明 [0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种。 背景技术 [0002]硅化钨薄膜具有高熔点和低电阻率的优点,在大规模集...
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