技术编号:7049702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区,其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用,可以得到高的击穿电压,由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度,从而降低比导通电阻,并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的,因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。专利说明一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管[0001]本发明涉及半导体功率器件,...
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