技术编号:7049872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10),并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导...
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