技术编号:7049971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜,包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10-10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜。本发明还涉及该GaN薄膜的制备方法,包括如下步骤a.将Al2O3衬底进行清洁、退火处理;b.在经过a步骤处理的Al2O3衬底上再外延生长一层AlN形核层;c.在经过b步骤生长出的AlN形核层上外延生长一层GaN薄膜。本发明还涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜用于制备LED、光电探测器和...
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