技术编号:7050063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率二极管及制备方法,其结构为自下而上依次包括底层电极、衬底层、N-型外延层和顶部电极,顶部电极为功率二极管的正极,底层电极为功率二极管的负极;其中N-型外延层上部横向间隔开设有至少两个沟槽,两个相邻沟槽之间的N-型外延层与顶部电极之间设有MOS沟道;本发明器件为硅材料器件,其可通过现有硅材料半导体集成电路生产工艺实现;不会引入特殊金属材料,与现有半导体生产工艺兼容;本发明通过沟槽下注入的p+区域增强的器件反向耐压能力;器件加反向电压时,沟槽...
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