技术编号:7050103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,其中,所述异质结结构包括缓冲层,所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料,位于缓冲层上的沟道层,所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料,所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层,其中,所述第一沟道层位于缓冲层上,位于第一沟道层和第二沟道层之间的插入层,其中,所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度,位于第二沟道层上的势垒层,所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。本发明克服了异质结结构和异质结场效应管的电流崩塌和漏电问题。专利说...
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