技术编号:7050289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况,选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖,即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜,之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中,进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座上的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来,从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度,掺杂气体进入外延层中,改变了所述外延层边缘的电阻率分布,降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响,提高了产品良率。专利说明[0001]本发明涉及半导体...
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