技术编号：7050364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设计及制造，特别涉及一种具有含碳绝缘层的低肖特基势垒的肖特基势垒晶体管及其制备方法。背景技术随着特征尺寸的不断缩小，传统晶体管制作技术已经遇到了越来越多的挑战。在30nm技术节点以下，肖特基势垒晶体管相比传统结构的晶体管具有低的源极和漏极电阻，天生的突变接触，以及不存在闩锁效应等诸多优点。但是，肖特基源极和漏极接触一般存在较严重的费米能级钉扎现象，限制了源漏电流的大小。一种解决方法是在半导体衬底材料和金属源极、漏极间插入一层薄绝缘层，阻挡金...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。