技术编号：7050432
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，有如下步骤将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.01-1mA/cm2，开路电压提高0.5-5mV，转化效率提高0.01-0.3%；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗PID的能...
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