技术编号:7050447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种耐高压半导体器件,包括上台体和与上台体底面面接触的下台体,重掺杂N型区位于轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面,所述重掺杂P型区位于轻掺杂P型区正下方并形成第二接触面,所述上台体的轻掺杂N型区与下台体的轻掺杂P型区接触形成PN结接触面且其位于轻掺杂P型区正上方,所述第一接触面为上凸面,所述第二接触面为下凹面;轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区,轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且...
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